碳化硅功率器件
工藝制造服務
各電流電壓等級的標準及高溫應用 JBS二極管,平面、溝槽MOSFET,
10kV以上PiN二極管,各項性能指標達到國際領先水平。
可為客戶提供650V-10kV碳化硅二極管流片定制工藝服務,以及各類規格參數外延定制化服務,最大可達250微米。
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6月28日,在上海舉行的2020中國IC領袖峰會暨中國IC設計成就獎頒獎典禮傳來喜訊,基本半導體車規級全碳化硅功率模塊BMB200120P1榮獲2020年度中國IC設計成就獎之功率器件獎項!中國IC設計成就獎是中國電子業界最重要的技術獎項評...

“新基建”:駛向科技強國的“數字高速公路”當前,抗擊疫情的硬仗還沒打完,疫后重建的硬仗已經打響,動力就是“新基建”...

以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能,切合節能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求...

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